Necessary equipment for semiconductor chip manufacturing

Yujia Spinel150Ae/200Ae

用于6/8寸光刻胶灰化的设备：

  • 搭建在邦芯YuJia传送平台，提供高速的传片效率，实现串行或并行的工艺处理；
  • 自主研发的高密度等离子体发生装置，提供足够的活性反应基团，保证高灰化速率；
  • 独特的气体流场及热场设计，保证灰化均匀性；
  • 基于数据库的操作系统，提供了快速稳定的工业控制和高速的数据采样；
  • 独特的晶圆升降机构，适应更多的应用场合。

主要应用包括：

  • Bulk光刻胶去除
  • 高能离子注入后的光刻胶去除
  • 碳膜去除
  • 预处理加工和聚合物清除

Honghu TSG150W/200W

用于6/8寸GaN功率半导体工艺WCVD设备：

  • 搭建在邦芯自主研发的HongHu多腔室集群真空传送平台，能够提供串行或并行的工艺处理；
  • 工艺腔室采用均匀的流场设计，保证钨成膜速率和均匀性；
  • 自主的加热盘设计，实现成膜速率和均匀性可调。

主要应用包括：

  • 钨沉积工艺

Honghu Ivory150W/200W

用于6/8寸化合物半导体加工工艺ICP刻蚀设备：

  • 搭建在邦芯自主研发的HongHu多腔室集群真空传送平台，能够提供串行或并行的工艺处理；
  • 该系统采用优化的ICP线圈设计，提供更高的刻蚀速率及更优的均匀性；
  • 采用先进表面涂层，提高零部件的使用寿命，稳定的Particle性能和降低生产成本。

主要应用包括：

  • 化合半导体GaN刻蚀工艺
  • 钨回刻工艺
  • 金属刻蚀工艺

QiJi Spinel300A

用于12寸集成电路工艺光刻胶灰化设备：

  • 搭建在邦芯自主研发的QiJi多腔室集群真空传送平台，能够提供串行或并行的工艺处理；
  • 自主研发的高密度等离子体发生装置，提供足够的活性反应基团，保证高灰化速率；
  • 独特的气体流场及热场设计，保证灰化均匀性；
  • 基于数据库的操作系统，提供了快速稳定的工业控制和高速的数据采样；
  • 独特的晶圆升降机构，适应更多的应用场合。

主要应用包括：

  • 90nm-14nm集成电路
  • 光刻胶灰化工艺
  • 高能离子注入后的光刻胶去除
  • 预处理加工
  • 聚合物清除

HongHu Coral150D/200D

用于6/8寸化合物半导体加工工艺CCP刻蚀设备：

  • 搭建在邦芯自主研发的HongHu多腔室集群真空传送平台，能够提供串行或并行的工艺处理；
  • 独特的反应腔设计，保证介质膜刻蚀速率和均匀性；
  • 采用先进表面涂层，提高零部件的使用寿命，稳定的Particle性能和降低生产成本，提升Uptime和MTBC。

主要应用包括：

  • 化合半导体介质刻蚀工艺
  • 0.11-0.35um制程集成电路介质刻蚀工艺

Honghu Ivory150E/200E

用于6/8寸化合物半导体加工工艺ICP刻蚀设备：

  • 搭建在邦芯自主研发的HongHu多腔室集群真空传送平台，能够提供串行或并行的工艺处理；
  • 该系统采用优化的ICP双线圈设计，提供更高的刻蚀速率及更优的均匀性;
  • 采用先进表面涂层，提高零部件的使用寿命，稳定的Particle性能和降低生产成本。

主要应用包括：

  • 化合半导体SiC刻蚀工艺
  • 多晶硅刻蚀工艺
  • 深硅刻蚀工艺

Yujia Spinel300D

用于12寸光刻胶常温灰化的设备：

  • 搭建在邦芯YuJia传送平台，提供高速的传片效率，实现串行或并行的工艺处理；
  • 自主研发的高密度等离子体发生装置及底部bias馈入系统，提供足够的活性反应基团及能量，保证常温高灰化速率；
  • 独特的气体流场及热场设计，保证灰化均匀性；
  • 全数字控制和基于数据库的操作系统，提供了快速稳定的工业控制和高速的数据采样；
  • 独特的晶圆升降机构，适应包括减薄片、玻璃片等更多的应用场合。

主要应用包括：

  • 常温光刻胶去除
  • 常温残胶去除
  • 常温表面处理

QiJi Spinel300E

用于12寸光刻灰化的设备：

  • 超高的离子电子过滤能力，提供晶圆超低损伤效果；
  • 自主研发的高密度等离子体发生装置，提供足够的活性反应基团，保证高灰化速率；
  • 独特的气体流场及热场设计，保证灰化均匀性；
  • 独特的晶圆升降机构，提供了更大的工艺窗口。

主要应用包括：

  • 12寸前道IC制造领域去胶

Honghu Topaz150/200

用于6/8寸集成电路、封装领域深硅刻蚀的设备：

  • 搭建在邦芯自主研发的HongHu多腔室集群真空传送平台，能够提供串行或并行的工艺处理；
  • 自主研发的ICP双线圈设计，保证高刻蚀速率和优异的刻蚀均匀性；
  • 使用快速气体切换阀控系统实现超短Bosch工艺，可以实现高深宽比、高选择比、极小侧壁粗糙度的深硅刻蚀工艺;
  • 采用先进表面涂层，提高零部件的使用寿命，稳定的Particle性能和降低生产成本。

主要应用包括：

  • 6/8寸TSV刻蚀工艺
  • 6/8寸MEMS刻蚀工艺

QiJi Garnet300I

用于12寸化学干法刻蚀的设备：

  • 搭建在邦芯自主研发的QiJi多腔室集群真空传送平台，能够提供串行或并行的工艺处理；
  • 超高的离子电子过滤能力，提供各向同性刻蚀效果，确保极低的离子损伤；
  • 自主研发的高密度等离子体发生装置，提供足够的活性反应基团，保证高各向同性刻蚀速率；
  • 独特的气体流场及热场设计，保证刻蚀速率均匀性；
  • 数据库的操作系统，提供了快速稳定的工业控制和高速的数据采样。

主要应用包括：

  • 12寸IC制造领域化学干法刻蚀工艺